连接线上的图案_连接线上的图案

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

...专利,该专利技术能实现多个上垂直图案可以分别连接到多个下垂直图案下图案组,包括在电极结构的下部中且连接到衬底的多个下垂直图案;以及上图案组,包括在电极结构的上部中的多个上垂直图案。所述多个上垂直图案可以分别连接到所述多个下垂直图案。该三维半导体存储器件还可以包括在第二方向上彼此间隔开的两个公共源极插塞。电极结构可以在...

...精细图案的方法专利,该方法能在半导体衬底上形成线图案和连接图案金融界2023年12月28日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“用于形成精细图案的方法“,授权公告号CN110189987B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示,本发明提供一种用于形成精细图案的方法,该方法包括:在半导体衬底上形成线图案和连接图案,该线图案...

...制造半导体装置的方法专利,源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案沿着接触孔的侧壁和底表面形成牺牲衬垫;在牺牲衬垫存在的同时执行离子注入工艺;去除牺牲衬垫并沿着接触孔的侧壁形成接触衬垫;以及在接触衬垫上形成源极/漏极接触件。离子注入工艺可以包括将杂质注入到源极/漏极图案中。源极/漏极接触件可以连接到源极/漏极图案。本文源自金...

三星申请半导体器件专利,实现单元分离图案的第二侧壁的上部与位线...包括:单元有源图案,包括彼此间隔开的第一部分和第二部分;在单元有源图案的第一部分和第二部分之间的栅极结构;在单元有源图案的第一部分上的位线接触;在单元有源图案的第二部分上的连接图案;以及与位线接触和连接图案接触的单元分离图案,其中单元分离图案包括与连接图案接触...

╯﹏╰ ...和具有该模块板的半导体模块专利,该专利技术能实现模块板的高效连接在表面上具有布线图案;保护层,覆盖基底的表面以暴露基底表面的一个边缘区域;以及多个凸片端子,连接到布线图案并布置在一个边缘区域上。每个凸片端子的宽度大于布线图案的宽度。每个凸片端子具有图案层。保护层在每个凸片端子连接到布线图案的区域处的图案层上,并且镀层在...

↓。υ。↓ 三星取得磁存储器件专利,线图案为磁隧道结图案提供自旋轨道矩其包括:线图案,所述线图案位于衬底上;磁隧道结图案,所述磁隧道结图案位于所述线图案上;以及上导电线,所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开,并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。本文源自金...

三星申请集成电路专利,电感元件包括在垂直于衬底的第一方向上延伸...电感元件包括在垂直于衬底(例如,衬底的上表面)的第一方向上延伸的第一贯通电极、连接到第一贯通电极并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的上金属化图案、以及连接到第一贯通电极并在第二方向上延伸的下金属化图案,其中上金属化图案和下金属化图案彼此间隔开并且第一贯通...

三星申请半导体封装件专利,实现半导体芯片间的电连接所述半导体封装件包括:重分布线结构,包括多个重分布线图案;第一半导体芯片和第二半导体芯片,在重分布线结构上并且彼此间隔开;桥接结构,在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间,并且包括被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片的多个连接布线图案;以...

╯０╰

三星申请集成电路专利,专利技术能实现第一电流和第二电流在不同的...一种集成电路包括:在第一导电层中的第一导电图案;第二导电图案,在第一导电层之上的第二导电层中;以及通路,与第一导电图案和第二导电图案电连接以允许从第一导电图案流动到第二导电图案的第一电流和从第二导电图案流动到第一导电图案的第二电流在不同的时间经过。通路布置...

三星申请半导体装置专利,提高半导体装置的电连接效率一种半导体装置包括:上导电线,其位于衬底上;沟道结构,其与上导电线相邻;栅极电介质膜,其位于沟道结构和上导电线之间;以及导电接触图案,其电连接至沟道结构。沟道结构包括主沟道部分和沟道接触部分,主沟道部分包括具有第一成分的氧化物半导体层,沟道接触部分位于主沟道部分和...

˙▽˙