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˙▽˙ 云南锗业:公司碳化硅、锑化镓项目仍在研发阶段且存在不确定性金融界12月20日消息,有投资者在互动平台向云南锗业提问:董秘您好,公司近期公布了关于为全资子公司东昌的担保事项,该子公司又是6英寸碳化硅衬底项目与锑化镓衬底的项目的实施主体,项目进展不透明,不知道进展到什么程度,是不是公司董秘办人为制造了投机环境?信息披露有风险...

2023中关村论坛|第三代半导体如何让产业链“更上层楼”5月28日,在2023中关村论坛“北京(国际)第三代半导体创新发展论坛”上,国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片生产项目等6个产业项目签约,预计总投资近18亿元。而正是第三代半导体技...

˙﹏˙ 我国团队在8英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成,同时拥有成本低和散热好等优势。氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。与前代半导体材料相比,氧化镓材料具备更高的击穿电场强度与更低的导通电阻,从而能量...