什么叫随机存取_什么叫随机存取

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三星申请自旋轨道转矩磁性随机存取存储器器件专利,提高存储器性能金融界2024年1月16日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“自旋轨道转矩磁性随机存取存储器器件及其制造方法“,公开号CN117412606A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本发明提供了一种自旋轨道转矩磁性随机存取存储器(SOT-MRAM)器件及其制造...

长鑫存储取得CN108962894B专利,提高动态随机存取存储器的存储能力完成较高深宽比的无缝隙薄膜填充,避免了缝隙对薄膜结构和电性能的影响;在同一反应室内完成沉积及刻蚀工艺,降低工艺成本;本发明制备动态随机存取存储器的方法可以制备具有无缝隙薄膜填充位线接触沟槽的动态随机存取存储器,并降低工艺复杂性及成本,提高所述动态随机存取存储...

(＊?↓˙＊) 台积电取得铁电随机存取存储器器件及其形成方法专利,实现高效形成...金融界2024年1月13日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“铁电随机存取存储器器件及其形成方法“,授权公告号CN113594175B,申请日期为2021年7月。专利摘要显示,形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括:在衬底上方形成层堆叠件...

三星取得磁阻随机存取存储器器件制造方法专利,提高了存储器的性能金融界2024年1月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“制造磁阻随机存取存储器器件的方法”,授权公告号CN109841727B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成第一磁性层;在...

高通公司申请随机存取信道专利,技术用于指示用户设备能力或者服务金融界2023年12月22日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“随机存取信道上的能力或者服务指示”,公开号CN117280841A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示,本公开内容的某些方面提供了用于指示用户设备能力或者服务的技术。一种可以由用户设备(UE...

高通公司申请多位磁阻随机存取存储器单元专利,自由层的磁矩可以...金融界2023年12月15日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“多位磁阻随机存取存储器单元“,公开号CN117242521A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,公开了多位磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的示例。多位MRAM单元可以包括固定层、交替堆叠的N...

三星申请集成电路专利,提升静态随机存取存储器(SRAM)装置性能金融界2023年11月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“集成电路“,公开号CN117135900A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,公开了一种集成电路。所述集成电路包括静态随机存取存储器(SRAM)装置。SRAM装置包括SRAM单位单元,SRAM单位单...

●ω● 台积电取得集成电路以及制造方法专利,实现电阻式随机存取存储器...金融界2024年1月1日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路以及制造方法“,授权公告号CN113745403B,申请日期为2021年8月。专利摘要显示,电阻式随机存取存储器单元包括全环绕栅极晶体管和电阻器件。该电阻器件包括第一电极,该第...

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...件的方法专利,实现包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的集成电路金融界2024年1月1日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路、MRAM单元和用于制造存储器件的方法“,授权公告号CN110875352B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,一些实施例涉及包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的集成电...

╯０╰ 荣耀公司申请数据存储专利,电子设备采用数据库和缓存组件存储数据,...电子设备中包括动态随机存取存储器DRAM和非易失性存储器NVM,DRAM中包括缓存组件,NVM中包括数据库,缓存组件和数据库用于存储数据。在第一时间区间内,电子设备在缓存组件中存储第一生命周期的第一数据,在数据库中存储第二生命周期的第一数据。在第二时间区间内,电子设...