igbt什么样子_igbt什么样子

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芯愚公取得种 IGBT 模块测试平台专利金融界 2024 年 11 月 23 日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市芯愚公半导体有限公司取得一项名为“种 IGBT 模块测试平台”的专利,授权公告号 CN 114754958 B,申请日期为 2022 年 4 月。

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弘盛昌科技取得IGBT模块涂覆导热硅脂工装专利,能够保证涂刷效率金融界2024年11月23日消息,国家知识产权局信息显示,弘盛昌科技(厦门)有限公司取得一项名为“一种IGBT模块涂覆导热硅脂工装”的专利,授权公告号CN 222035520 U,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种IGBT模块涂覆导热硅脂工装,包括基座、网板和压框;基...

╯０╰ 江苏东海半导体取得一种IGBT失效分析装置专利金融界2024年11月23日消息,国家知识产权局信息显示,江苏东海半导体股份有限公司取得一项名为“一种IGBT失效分析装置”的专利,授权公告号CN 117490958 B,申请日期为 2023 年 11 月。

IGBT概念22日主力净流出20.5亿元,长电科技、上海贝岭居前11月22日,IGBT概念下跌4.63%,今日主力资金流出20.5亿元,概念股1只上涨,36只下跌。主力资金净流出居前的分别为长电科技(3.72亿元)、上海贝岭(3.57亿元)、比亚迪(3.43亿元)、士兰微(1.89亿元)、TCL中环(1.8亿元)。

北一半导体申请一种 IGBT 器件及其制作方法专利,大幅提升器件开关速度金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,北一半导体科技(广东)有限公司申请一项名为“一种 IGBT 器件及其制作方法”的专利,公开号 CN 118983335 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明提供了一种 IGBT 器件及其制作方法,涉及半导体芯片制造技术领域...

成都高投芯未申请一种IGBT器件制备方法及半导体器件专利,改善半...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT器件制备方法及半导体器件”的专利,公开号CN 118983218 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明提供了一种IGBT器件制备方法及半导体器件,涉及半导体制备工艺。...

无锡商甲半导体取得高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法专利金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,无锡商甲半导体有限公司取得一项名为“一种高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 118448449 B,申请日期为2024年7月。

无锡硅动力取得一种集成纵向 FRD 的 RC-LIGBT 器件及其制作工艺专利

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中国三峡建工(集团)等申请一种基于相变冷却的压接 IGBT 三电平功率...金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,中国三峡建工(集团)有限公司、荣信汇科电气股份有限公司申请一项名为“一种基于相变冷却的压接 IGBT 三电平功率单元结构”的专利,公开号 CN 118983279 A ,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明涉及一种基于相...

成都高投芯未取得一种IGBT耐压测试系统及方法专利金融界2024年11月21日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT耐压测试系统及方法”的专利,授权公告号CN 118671545 B,申请日期为2024年8月。

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