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什么叫随机存取存储器

时间:2024-02-05 02:59 阅读数:4825人阅读

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什么叫随机存取存储器

三星申请自旋轨道转矩磁性随机存取存储器器件专利,提高存储器性能金融界2024年1月16日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“自旋轨道转矩磁性随机存取存储器器件及其制造方法“,公开号CN117412606A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本发明提供了一种自旋轨道转矩磁性随机存取存储器(SOT-MRAM)器件及其制造...

什么叫随机存取存储器的意思

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什么是随机存取储存器

ˇ^ˇ 长鑫存储取得CN108962894B专利,提高动态随机存取存储器的存储能力完成较高深宽比的无缝隙薄膜填充,避免了缝隙对薄膜结构和电性能的影响;在同一反应室内完成沉积及刻蚀工艺,降低工艺成本;本发明制备动态随机存取存储器的方法可以制备具有无缝隙薄膜填充位线接触沟槽的动态随机存取存储器,并降低工艺复杂性及成本,提高所述动态随机存取存储...

随机存取存储器主要作用

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随机存取和随机存储器区别

台积电取得铁电随机存取存储器器件及其形成方法专利,实现高效形成...金融界2024年1月13日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“铁电随机存取存储器器件及其形成方法“,授权公告号CN113594175B,申请日期为2021年7月。专利摘要显示,形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括:在衬底上方形成层堆叠件...

随机存取存储器名词解释

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随机存取储存器简称为

三星取得磁阻随机存取存储器器件制造方法专利,提高了存储器的性能金融界2024年1月3日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“制造磁阻随机存取存储器器件的方法”,授权公告号CN109841727B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法,所述方法包括:在衬底上形成第一磁性层;在...

随机存储器什么意思

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高通公司申请多位磁阻随机存取存储器单元专利,自由层的磁矩可以...金融界2023年12月15日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“多位磁阻随机存取存储器单元“,公开号CN117242521A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,公开了多位磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的示例。多位MRAM单元可以包括固定层、交替堆叠的N...

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三星申请集成电路专利,提升静态随机存取存储器(SRAM)装置性能金融界2023年11月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“集成电路“,公开号CN117135900A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,公开了一种集成电路。所述集成电路包括静态随机存取存储器(SRAM)装置。SRAM装置包括SRAM单位单元,SRAM单位单...

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ゃōゃ 台积电取得集成电路以及制造方法专利,实现电阻式随机存取存储器...金融界2024年1月1日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路以及制造方法“,授权公告号CN113745403B,申请日期为2021年8月。专利摘要显示,电阻式随机存取存储器单元包括全环绕栅极晶体管和电阻器件。该电阻器件包括第一电极,该第...

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...单元和用于制造存储器件的方法专利,实现包括磁阻式随机存取存储器...金融界2024年1月1日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路、MRAM单元和用于制造存储器件的方法“,授权公告号CN110875352B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,一些实施例涉及包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的集成电...

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荣耀公司申请数据存储专利,电子设备采用数据库和缓存组件存储数据,...荣耀终端有限公司申请一项名为“一种数据存储的方法、电子设备及计算机可读存储介质“,公开号CN117472293A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,一种数据存储的方法、电子设备及计算机可读存储介质,涉及数据处理技术领域。电子设备中包括动态随机存取存储器DRAM和非...

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多位分析师2024的首选股,拥有“大幅上涨”空间芯片制造商英伟达和谷歌母公司Alphabet是2023年科技板块中投资者的最爱。然而,一位投资者将目光投向了另一家同时提供半导体和人工智能“价值角度”的公司。这只股就是半导体制造商Micron Technology(MU)。Micron生产动态随机存取存储器芯片和NAND闪存芯片。动态随机存...

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