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北京大学申请高稳定性GaN器件专利,实现高动态稳定性、低动态导通...金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路“,公开号CN117790534A,申请日期为2022年11月。专利摘要显示,本发明公开了一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路。所述GaN器件是在传统的HE...

北京大学申请一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备...金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法“,公开号CN117790557A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本发明公开了一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法,通过在...

...V-1200V碳化硅二极管产品和MOSFET产品,以及650V GaN功率器件金融界3月27日消息,有投资者在互动平台向华微电子提问:在SiC、GaN等第三代半导体功率器件领域,公司有哪些相关产品吗?公司回答表示:公司目前有650V-1200V碳化硅二极管产品和MOSFET产品,在储能、充电桩、大功率电源领域应用;对于GaN功率器件,我司开发了650V产品,可用...